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      高頻光電導少數載流子壽命測試儀  LT-1

      高頻光電導少數載流子壽命測試儀 LT-1

      簡要描述:
      高頻光電導少數載流子壽命測試儀 LT-1
      2、技術參數
      (1)壽命測試范圍:5~10000μs;電阻率測量范圍:ρ≥2Ω·cm
      測電子級參雜硅單晶片(厚度小于1mm),電阻率范圍:ρ>0.1Ω·cm(表面可能需要拋光處理)
      測量重復性誤差≤±20%

      產品時間:2021-02-24

      訪問量:987

      廠商性質:生產廠家

      生產地址:

      高頻光電導少數載流子壽命測試儀  LT-1

      1、概述
      LT-1高頻光電導少數載流子壽命測試儀是參照半導體設備和材料組織SEMI標準(F28-75)及標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法,適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,硅單晶壽命測量ρ≥2Ω·cm,由于對樣塊體形無嚴格要求,因此廣泛應用于工廠的常規測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。

      高頻光電導少數載流子壽命測試儀  LT-1
      2、技術參數
      (1)壽命測試范圍:5~10000μs;電阻率測量范圍:ρ≥2Ω·cm
      測電子級參雜硅單晶片(厚度小于1mm),電阻率范圍:ρ>0.1Ω·cm(表面可能需要拋光處理)
      測量重復性誤差≤±20%
      (2)光脈沖發生裝置
      重復頻率>20~30次/s,光脈沖關斷時間:0.2~1μs,余輝<1μs
      紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶),紅外光在硅單晶內穿透深度大于500μm如測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源
      脈沖電源:5A~20A
      (3)高頻源
      高頻振蕩源:石英諧振器;頻率:30MHz;低輸出阻抗,輸出功率>1W
      (4) 放大器和檢波器
      放大倍數約25倍,頻寬:2Hz~2MHz
      (5)儀器配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶,亦可測豎放單晶橫載面的壽命
      可測單晶尺寸:
      斷面豎測:直徑25~150,厚度2mm~500mm
      縱向臥測:直徑5mm~150mm,長度50mm~800mm
      (6)讀數方式:可選配載流子壽命測試軟件系統或數字示波器讀數,軟件系統測試操作簡單,點擊“測量”即可,自動保存數據及相應測試點衰減波形到數據庫,可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。

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